原研研究炉におけるシリコンドーピング技術の開発

梅井 弘

KURRI-TR-263, p.31 - 37, 1985/00

半導体材料に用いられている半導体シリコンを、原子炉で照射することによって、リンをドープする技術が開発され、NTDシリコンの生産が行われている。中性子照射によるドープ法は、シリコン中に同位体として存在するSiが(n,)反応によってSiに変換され、これが崩壊して安定同体Pに変換することを利用して、リンの必要量を均一にドープして、n型の半導体にする方法で、これが半導体の品質向上につながることは、非常に興味あるユニークな利用方法である。原研では、シリコンメーカの依頼を受けて、研究炉におけるNTDシリコンの製造を目的とした照射実験を行い、製造技術の実用化の成果を得た。現在は半導体生産が原子炉照射を製造工程の一部となっており、JRR-2及び4で年間約1500kgの照射を行っている。上記研究会において、シリコンドーピング技術の開発による実用化とNTD製造の現状について講演を行う。